[发明专利]一种具有电子积累效应的鳍式EAFin-LDMOS器件有效
| 申请号： | 202110362550.8 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113097310B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 陈伟中;黄元熙;黄垚;李顺;黄义;张红升 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种具有电子积累效应的鳍式EAFin‑LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件分为：衬底、埋氧层和器件上面部分；其中器件上面部分包括：栅氧化层；栅氧化层外侧部分：从左至右依次是源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区和漏极N+区；栅氧化层内侧部分：从左至右依次是栅极P+区、栅极P‑body、控制结构的漂移区、控制结构的漏极N+区和控制结构的漏极P+区。本发明在器件中使用了电子积累效应，并采用了鳍式结构，在保持较高的击穿电压下大幅度降低R |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 电子 积累 效应 eafin ldmos 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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