[发明专利]一种具有电子积累效应的鳍式EAFin-LDMOS器件有效
| 申请号： | 202110362550.8 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113097310B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 陈伟中;黄元熙;黄垚;李顺;黄义;张红升 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电子 积累 效应 eafin ldmos 器件 | ||
1.一种具有电子积累效应的鳍式EAFin-LDMOS器件，其特征在于，该器件分为：
1）器件上面部分，包括：栅氧化层（6）、栅氧化层（6）外侧部分和栅氧化层（6）内侧部分；
栅氧化层（6）外侧部分：从左至右依次是源极P+区（1）、源极N+区（2）、P-body（3）、漂移区（4）和漏极N+区（5）；所述源极P+区（1）和源极N+区（2）位于整个器件的左上区域，被P-body（3）包围；P-body（3）的右侧与漂移区（4）的左侧接触；漏极N+区（5）位于整个器件的右上区域，左边和下边被漂移区（4）所包围；
栅氧化层（6）内侧部分：从左至右依次是栅极P+区（12）、栅极P-body（13）、控制结构的漂移区（9）、控制结构的漏极N+区（8）和控制结构的漏极P+区（7）；所述栅极P+区（12）的右侧和栅极P-body（13）的左侧相接触；栅极P-body（13）的右侧和控制结构的漂移区（9）的左侧相接触；控制结构的漏极N+区（8）位于器件的右上区域，被控制结构的漂移区（9）所包围，同时控制结构的漏极N+区（8）的右上角也包围着控制结构的漏极P+区（7）；
2）器件中间部分，由埋氧层（10）组成，位于器件上面部分之下，位于器件底部部分之上；
3）器件底部部分：由衬底（11）组成，位于器件上面部分之下。
2.根据权利要求1所述的鳍式EAFin-LDMOS器件，其特征在于，该器件还包括在漂移区（4）或控制结构的漂移区（9）增加P型区或超结P型区。
3.根据权利要求1所述的鳍式EAFin-LDMOS器件，其特征在于，所述栅氧化层（6）外侧部分还包括：表面栅氧化层（16），位于源极N+区（2）和漂移区（4）之间的P-body（3）的上表面，并连接栅极P+区（12）。
4.根据权利要求1所述的鳍式EAFin-LDMOS器件，其特征在于，将控制结构的漏极P+区（7）延伸到栅氧化层（6）的外侧部分，形成漏极P+区（17），使得漏极N+区（5）与漏极P+区（17）直接接触。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的鳍式EAFin-LDMOS器件，其特征在于，该器件是N型LDMOS器件，能对应切换成P型LDMOS器件。
6.根据权利要求1~4中任意一项所述的鳍式EAFin-LDMOS器件，其特征在于，该器件结构能将栅氧化层（6）的内侧部分与外侧部分结构调换，使得LDMOS器件结构位于栅氧化层（6）内侧，栅极控制结构位于栅氧化层（6）外侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆邮电大学，未经重庆邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110362550.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
