[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110342807.3 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113097066A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 颜松 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底内形成有顶层金属层，所述基底暴露所述顶层金属层的顶表面；自下向上依次形成覆盖所述基底的刻蚀停止层及钝化层；在所述钝化层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有一暴露出所述钝化层的开口，所述开口与所述顶层金属层对准；沿着所述开口，在所述图形化的光刻胶层的侧壁和暴露出的所述钝化层上形成保护层；以及，以所述图形化的光刻胶层为掩模，对所述钝化层进行刻蚀并停止在所述刻蚀停止层上。本发明以改善钝化层刻蚀后刻蚀停止层表面的平坦度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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