[发明专利]半导体器件的制备方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供基底，在所述基底内形成有顶层金属层，所述基底暴露所述顶层金属层的顶表面；自下向上依次形成覆盖所述基底的刻蚀停止层及钝化层；在所述钝化层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有一暴露出所述钝化层的开口，所述开口与所述顶层金属层对准；沿着所述开口，在所述图形化的光刻胶层的侧壁和暴露出的所述钝化层上形成保护层；以及，以所述图形化的光刻胶层为掩模，对所述钝化层进行刻蚀并停止在所述刻蚀停止层上。本发明以改善钝化层刻蚀后刻蚀停止层表面的平坦度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。

背景技术

随着集成电路的发展，芯片中的电路密度越来越大，所含元件数量不断增加。在芯片中包含多层互连结构，通过刻蚀层间介质层形成沟槽或通孔，并在沟槽和通孔中填充导电材料来实现芯片内的多层电互连。形成互连结构后，为实现芯片与外部电路之间的电连，还需要在晶片表面形成焊盘，焊盘与互连结构电连接。目前半导体器件或集成电路的制作焊盘的一种常用的方法是，在芯片最上面的顶层金属上生长钝化层之后，采用刻蚀工艺，将钝化层进行部分刻蚀以暴露出顶层金属的一部分，以形成焊盘，用于键合引线，以便与其它器件或集成电路相连。

在搭载硅基微显示智能芯片制造时，采用现有的刻蚀工艺能够对一定厚度的钝化层进行刻蚀，以显露出至少部分的顶层金属的表面，此时的刻蚀工艺针对现有具有一定厚度的钝化层而设定。为了提高搭载硅基微显示智能芯片的视觉传输性能，对钝化层进行改进，增加了一层较厚的氧化层，钝化层总体的厚度增加，且增加了刻蚀停止层，在刻蚀过程中需要使刻蚀进程准确停止在刻蚀停止层上，并且保留至少部分厚度的刻蚀停止层，再利用顶层金属的电场效应与其它器件单元连接，比如与液晶显示单元连接。但是采用现有的刻蚀工艺对改进后的钝化层进行刻蚀，会由于新工艺膜层较厚且刻蚀停止层需保留至少部分厚度，难以保证在刻蚀后显露的表面的均一性，会形成两侧薄中间厚的“倒碗状”鼓包结构，影响信息传输准确性、画面流畅性和传输过程中的画质清晰度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的制备方法，在对钝化层前进行刻蚀前，形成保护层，通过保护层来改善对钝化层刻蚀后，刻蚀停止层的表面的平坦度。

为了达到上述目的，本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：

提供基底，在所述基底内形成有顶层金属层，所述基底暴露所述顶层金属层的顶表面；

自下向上依次形成覆盖所述基底的刻蚀停止层及钝化层；

在所述钝化层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有一暴露出所述钝化层的开口，所述开口与所述顶层金属层对准；

沿着所述开口，在所述图形化的光刻胶层的侧壁和暴露出的所述钝化层上形成保护层；以及，

以所述图形化的光刻胶层为掩模，对所述钝化层进行刻蚀并停止在所述刻蚀停止层上。

可选的，采用多步刻蚀法对所述钝化层进行刻蚀。

可选的，对所述钝化层进行多步刻蚀所采用的工艺气体包括SF₆和O₂。

可选的，采用多步刻蚀法对所述钝化层进行刻蚀时，控制所述SF₆的流量不变，所述O₂的流量逐渐增大，直至所述钝化层刻蚀完全。

可选的，所述SF₆和所述O₂的流量比值范围为0.2～3。

可选的，采用所述多步刻蚀法对所述钝化层进行刻蚀的方法包括：

采用包括CHF₃和O₂的工艺气体对所述钝化层进行刻蚀，直至剩余的所述钝化层呈碗状；以及，