[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110342807.3 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113097066A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 颜松 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底，在所述基底内形成有顶层金属层，所述基底暴露所述顶层金属层的顶表面；
自下向上依次形成覆盖所述基底的刻蚀停止层及钝化层；
在所述钝化层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有一暴露出所述钝化层的开口，所述开口与所述顶层金属层对准；
沿着所述开口，在所述图形化的光刻胶层的侧壁和暴露出的所述钝化层上形成保护层；以及，
以所述图形化的光刻胶层为掩模，对所述钝化层进行刻蚀并停止在所述刻蚀停止层上。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用多步刻蚀法对所述钝化层进行刻蚀。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，对所述钝化层进行多步刻蚀所采用的工艺气体包括SF6和O2。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用多步刻蚀法对所述钝化层进行刻蚀时，控制所述SF6的流量不变，所述O2的流量逐渐增大，直至所述钝化层刻蚀完全。
5.如权利要求3或4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述SF6和所述O2的流量比值范围为0.2～3。
6.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用所述多步刻蚀法对所述钝化层进行刻蚀的方法包括：
采用包括CHF3和O2的工艺气体对所述钝化层进行刻蚀，直至剩余的所述钝化层呈碗状；以及，
采用包括CF4的工艺气体对剩余的所述钝化层进行刻蚀并停止在所述刻蚀停止层上。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用包括CHF3和O2的工艺气体对所述钝化层进行刻蚀时，控制所述CHF3的流量逐渐增大，所述O2的流量不变，直至剩余的所述钝化层呈碗状。
8.如权利要求6或7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述CHF3和所述O2的流量比值范围为0.01～0.025。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述保护层的材质为CF类聚合物。
10.如权利要求1或9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述保护层的厚度为
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