[发明专利]一种高压快速的碳化硅二极管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种高压快速的碳化硅二极管及其制备方法，包括碳化硅二极管，所述碳化硅二极管包括塑封外壳、碳化硅芯片、阴极引脚、阳极引脚、助焊板，所述碳化硅芯片包括N+碳化硅衬底、N‑碳化硅外延层、阴极金属、二氧化硅层、P型保护环、覆盖在所述二氧化硅层、N‑碳化硅外延层上端的阳极金属，所述阳极金属与所述阳极引脚焊接，所述助焊板一端与所述阴极引脚焊接，另一端与所述阴极金属焊接。本发明的碳化硅二极管及其制备方法，将二氧化硅层生长在N+碳化硅衬底与N‑碳化硅外延层交接处外侧面，在二氧化硅层、N‑碳化硅外延层上端沉积一层阳极金属，所形成的结构中，肖特基势垒面积大，碳化硅二极管正向时可通过的电压大，导通速度快。