[发明专利]一种纵置排布的MOSFET管在审
| 申请号： | 202110326188.9 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113130660A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 白云龙 | 申请（专利权）人： | 先之科半导体科技（东莞）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 523430 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明系提供一种纵置排布的MOSFET管，包括第一导电型衬底，第一导电型衬底下设有漏极金属层，第一导电型衬底上设有第一导电型外延层，第一导电型外延层上设有一个中心栅极金属层、两个边缘栅极金属层和两个多沟道夹层；中心栅极金属层的底面和邻接多沟道夹层的两侧面均覆盖有中心钝化层，中心栅极金属层的下方设有第二导电型中心阻隔层；边缘栅极金属层的底面和邻接多沟道夹层的侧面均覆盖有边缘钝化层，边缘栅极金属层的下方设有第二导电型边缘阻隔层；多沟道夹层包括依次层叠的第二导电型通道层、第一导电型源极层和源极金属层。本发明能够形成四条导电沟道，可显著增大可通过的电流，且整体结构的尺寸能够保持微小型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 排布 mosfet | ||
【主权项】：
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