[发明专利]一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管有效
| 申请号： | 202110317471.5 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113066870B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;魏雨夕;鲁娟;杨可萌;魏杰;蒋卓林;王元刚;吕元杰;冯志红 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/267;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 终端 结构 氧化 镓基结势垒肖特基 二极管 | ||
1.一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管，包括阴极欧姆接触金属层(1)、位于阴极欧姆接触金属层(1)上表面的高掺杂氧化镓衬底(2)、位于高掺杂氧化镓衬底(2)上表面的低掺杂氧化镓外延层(3)；其特征在于，所述低掺杂氧化镓外延层(3)上层两侧具有钝化介质层(5)，两侧的钝化介质层(5)之间为有源区；所述有源区顶部具有P型氧化物半导体层(4)，所述P型氧化物半导体层(4)由两个或两个以上结深相同且等间距排列的P型区构成，且与低掺杂氧化镓外延层(3)的上部相接触形成异质结；所述钝化介质层(5)中具有变掺杂分布的氟离子，且其上表面高于P型氧化物半导体层(4)的上表面，变掺杂分布的氟离子终端结构等效为在主结处较薄、场板边缘较厚的倾斜场板；所述钝化介质层(5)内侧与P型氧化物半导体层(4)相接触并且覆盖有源区的边缘；所述有源区上表面覆盖有阳极金属层(6)并形成肖特基接触，且阳极金属层(6)向两侧延伸至覆盖部分钝化介质层(5)的上表面形成场板。
2.根据权利要求1所述的一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述P型氧化物半导体层(4)采用的材料为P型NiO或P型Cu2O。
3.根据权利要求1或2所述的一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述P型氧化物半导体层(4)的上表面与低掺杂氧化镓外延层(3)的上表面齐平。
4.根据权利要求1或2所述的一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述P型氧化物半导体层(4)嵌入在低掺杂氧化镓外延层(3)且P型氧化物半导体层(4)的上表面高于低掺杂氧化镓外延层(3)的上表面。
5.根据权利要求1或2所述的一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述P型氧化物半导体层(4)的下表面与低掺杂氧化镓外延层(3)的上表面接触。
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