[发明专利]半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件有效
| 申请号： | 202110305281.1 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113067246B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 刘中华;杨国文;李颖;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张鹏 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件，涉及半导体器件技术领域，包括如下步骤：利用划线角度30～40°、划线速度(20A+20)～(20A+40)mm/s在半导体器件表面的无图案区构建沿第一方向的、长度为(0.05A‑0.1)～(0.05A‑0.05)mm的划线，并在第一平面内形成预制裂纹；在形成该预制裂纹后，在第一方向上，利用预制裂纹形成半导体器件的腔面；其中A为半导体器件在第一方向上的长度。与现有技术相比，获得较深的预制裂纹，减少预制裂纹的数量，降低对半导体器件的芯片区的影响，制备的半导体器件腔面平整光滑，提高性能、良品率和生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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