[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110295192.3 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113451391A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 中谷贵洋;新田哲也;大塚翔瑠 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。本发明涉及的半导体装置(100)为相邻地设置有绝缘栅型双极晶体管区域(1)和二极管区域(2)的半导体装置，绝缘栅型双极晶体管区域(1)具有：第2导电型的基极层(9)，其设置于第1主面侧的表层；第1导电型的发射极层(8)，其选择性地设置于基极层(9)的第1主面侧的表层；栅极电极(7a)，其设置于半导体基板的第1主面侧，在沿第1主面的第1方向上并列配置多个，隔着栅极绝缘膜(6a)面向发射极层(8)、基极层(9)及漂移层(12)；以及第1导电型的载流子注入抑制层(10)，其选择性地设置于基极层(9)的第1主面侧的表层，在第1方向上被基极层(9)夹着。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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