[发明专利]半导体器件解理装置及解理方法有效
| 申请号： | 202110268130.3 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN112687594B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘中华;杨国文;李颖;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01S5/02;H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件解理装置及解理方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件解理装置包括解理装置主体，所述解理装置主体具有用于半导体器件解理的解理区域；喷雾装置，用于使保护液形成雾状并向解理区域喷洒，以使解理后的巴条的腔面被保护液覆盖并形成保护膜；高压电场装置，用于使喷雾装置喷洒的保护液电离并形成带电喷雾。本发明提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件在大气环境解理的时候，通过喷雾装置向解理区域喷洒保护液，使保护液一方面可以消除腔面活跃的不饱和的悬挂键（不饱和的悬挂键易与离子结合），另一方面，雾化的保护液可以在腔面表面形成保护膜，保护腔面不被氧化或者污染等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 解理 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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