[发明专利]半导体器件解理装置及解理方法

权利要求书

1.一种半导体器件解理装置，其特征在于，包括：

解理装置主体（800），所述解理装置主体（800）具有用于半导体器件（700）解理的解理区域（150）；

喷雾装置（200），用于使保护液形成雾状并向解理区域（150）喷洒，半导体器件在保护液的保护下进行解理，以使解理后的巴条的腔面被保护液覆盖并形成保护膜；

高压电场装置（400），用于使喷雾装置（200）喷洒的保护液电离并形成带电喷雾。

2.根据权利要求1所述的半导体器件解理装置，其特征在于，所述高压电场装置（400）的工作电压大于4KV。

3.根据权利要求1所述的半导体器件解理装置，其特征在于，还包括液体回收系统，所述液体回收系统包括回收槽（900）、冷却装置（120）和液体回收管路（110）；

所述冷却装置（120）设置在所述回收槽（900）的下端，所述喷雾装置（200）向所述半导体器件（700）喷洒的保护液流入到所述回收槽（900）中，所述液体回收管路（110）用于回收所述回收槽（900）中的溶液。

4.根据权利要求1所述的半导体器件解理装置，其特征在于，所述解理装置主体（800）具有腔室（100），所述解理区域（150）位于所述腔室（100）内。

5.根据权利要求1所述的半导体器件解理装置，其特征在于，还包括液体供给装置（140），所述液体供给装置（140）与所述喷雾装置（200）连接，用于向所述喷雾装置（200）内提供保护液。

6.根据权利要求5所述的半导体器件解理装置，其特征在于，所述液体供给装置（140）包括储存槽（142）和与所述储存槽（142）连接的液体供给管路（141），所述液体供给管路（141）与所述喷雾装置（200）连接。

7.根据权利要求5所述的半导体器件解理装置，其特征在于，还包括气体供给装置（130），所述气体供给装置（130）与所述喷雾装置（200）连接，用于向所述喷雾装置（200）内提供惰性气体。

8.根据权利要求7所述的半导体器件解理装置，其特征在于，所述气体供给装置（130）包括气体供给管路（131）和管道加热装置（132），所述气体供给管路（131）与所述喷雾装置（200）连接；所述管道加热装置（132）设置在所述气体供给管路（131）上，用于将惰性气体加热到100-200℃。

9.根据权利要求7所述的半导体器件解理装置，其特征在于，所述喷雾装置（200）包括气液混合装置（300），所述气液混合装置（300）分别与所述气体供给装置（130）和所述液体供给装置（140）连接并用于将惰性气体和保护液混合。

10.根据权利要求9所述的半导体器件解理装置，其特征在于，所述气液混合装置（300）上设置有用于调节气体供给装置（130）向气液混合装置（300）供气的进气量的气体调节阀（500）和用于调节液体供给装置（140）向气液混合装置（300）供液的进液量的液体调节阀（600）。

11.一种半导体器件解理方法，该方法应用于权利要求1-10任一项所述半导体器件解理装置，其特征在于，包括以下步骤：

S1，喷雾装置（200）向解理区域（150）持续喷洒保护液；

S2，高压电场装置（400）使喷雾装置（200）喷洒的保护液电离并形成带电喷雾；

S3，将半导体器件（700）移动到解理区域（150）进行解理；

S4，保护液使解理后的巴条的腔面形成保护膜后将巴条移出所述解理区域（150）。