[发明专利]一种多芯片异质集成封装单元及其制造方法、堆叠结构在审
| 申请号： | 202110076187.3 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112928077A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 严阳阳;曹立强;王国军 | 申请（专利权）人： | 上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 201207 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多芯片异质集成封装单元、堆叠结构及其制造方法。多芯片异质集成封装单元包括硅衬底、第一芯片和第二芯片。硅衬底包括有源区、芯片埋入腔有源区包含平行设置的第一有源区和第二有源区。芯片埋入腔设置在靠近第一有源区一侧和靠近第二有源区一侧。第一芯片和第二芯片分别倒装贴装在第一有源区的一侧的芯片埋入腔中和第二有源区的一侧的芯片埋入腔中；其中第一芯片和第二芯片是不同类型的芯片。本发明提供的多芯片异质集成封装单元，通过在同一硅衬底有源区两侧挖芯片埋入腔并埋入不同的芯片，在同一层中实现了异质芯片的集成，相比现有技术异质芯片需于不同层集成的形式，整体的厚度大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 集成 封装 单元 及其 制造 方法 堆叠 结构 | ||
【主权项】：
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