[发明专利]半导体结构的制造方法及两种半导体结构有效
| 申请号： | 202110049137.6 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112864240B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李渊 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/45;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法和两种半导体结构，制造方法包括：提供基底以及硅层，且所述基底暴露出所述硅层顶面；沉积处理，在所述硅层上形成合金层，所述沉积处理在含氮氛围下进行，且所述含氮氛围中的氮原子浓度随沉积处理时间的增加而增加；对所述合金层以及所述硅层进行退火处理。本发明实施例中，氮原子浓度增加能够控制合金层的硅化反应，从而避免线宽效应，并降低半导体结构的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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