[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202110049125.3 | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112864097B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 巩金峰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底上具有多个相互分立的位线，相邻位线之间具有电容接触孔；形成填充满电容接触孔的填充膜，且填充膜内具有缝隙区域；采用第一刻蚀工艺，对填充膜进行刻蚀以打开缝隙区域，剩余填充膜作为第一填充层；在第一填充层表面依次堆叠形成至少两层基础填充层，距离基底最远的基础填充层填充满剩余电容接触孔；在垂直于基底且沿基底指向位线的方向上，基础填充层的掺杂浓度逐层减小；采用第二刻蚀工艺，对第一填充层和至少部分基础填充层进行刻蚀，以形成电容接触插塞。本发明实施例有利于在电容接触孔的深宽比较大的情况下，形成顶部形貌较为平坦的电容接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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