[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110008096.6 | 申请日： | 2021-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN113517280A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 游力蓁;苏焕杰;黄麟淯;庄正吉;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 器件包括：包含第一晶体管和第二晶体管的器件层；在器件层的前侧上的第一互连结构；以及在器件层的背侧上的第二互连结构。该第二互连结构包括：在器件层的背侧上的第一介电层，其中半导体材料设置在第一介电层和第一晶体管的第一源极/漏极区之间；延伸穿过第一介电层至第二晶体管的第二源极/漏极区的接触件；以及通过接触件电连接到第二晶体管的第二源极/漏极区的第一导电线。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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