[发明专利]一种半导体芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202110001836.3 | 申请日： | 2021-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN112838062A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 宋林;王永庆;陈赫;伍术 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/16;H01L21/78;H01L27/11517;H01L27/11563 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片及其制造方法。该半导体芯片的制造方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底中定义多个半导体芯片区域和位于相邻半导体芯片区域之间的切割道区域；形成围绕半导体芯片区域，位于切割道区域和半导体芯片区域之间的密封环；在半导体芯片切割道区域靠近密封环的边界位置形成保护槽；在切割道区域切割衬底，以将多个半导体芯片划分为单个的半导体芯片。该半导体芯片制造方法，能够降低划片工艺的难度，提高芯片的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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