[实用新型]精简光刻Split-Gate MOSFET芯片有效
| 申请号： | 202021818076.2 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN212542445U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;薛涛;迟晓丽 | 申请（专利权）人： | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博川诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 37275 | 代理人： | 高鹏飞 |
| 地址： | 255086 山东省淄博市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种精简光刻Split‑Gate MOSFET芯片，包括N+衬底和N‑外延，N‑外延内设有有源区沟槽及终止区沟槽，其特征是，所述的终止区沟槽宽度为有源区沟槽宽度的5‑30倍。本实用新型采用新的结构设计使原来的7道光刻制程简化为5道光刻，大大降低了制作成本。本实用新型结构亦可适用于其它沟槽式元件相类似的架构。 | ||
| 搜索关键词： | 精简 光刻 split gate mosfet 芯片 | ||
【主权项】：
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