[发明专利]半导体结构的制造方法和半导体结构在审
| 申请号： | 202011622576.3 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114695097A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 杨蒙蒙;白杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 王欢;刘芳 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，涉及半导体制造技术领域，旨在解决目前功函数调节层中的氮化钛层易被氧化，导致的层间电阻值增加，影响半导体结构性能的问题。该半导体结构的制造方法包括提供衬底；在衬底上形成堆栈层；其中，堆栈层包括依次层叠设置的界面层、高介电常数层和功函数复合层；在堆栈层上形成过渡层；在过渡层上形成金属栅极层。其中，功函数复合层通过物理气相沉积法制备。本发明能够有效缓解功函数调节过程中，所使用的功函数调节层中的部分材料易发生氧化的问题，从而减小半导体结构中的层间电阻值，有助于完成功函数调整过程，以提升该半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
