[发明专利]半导体器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011474913.9 申请日: 2020-12-14
公开(公告)号: CN112599528B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 李银䄷 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L27/11526;H01L27/11519;H01L27/11565;H01L27/11573;G11C8/10;G11C8/08
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括:第一芯片,形成有包括至少一个阵列区块的存储阵列,所述阵列区块包括多条沿第一横向延伸的字线与多条沿第二横向延伸的位线;以及,第二芯片,叠置在所述第一芯片上并与其构成电路连接,且形成有用以通过所述电路连接而控制所述阵列区块的局部字线译码器区块与局部位线译码器区块;其中,所述局部字线译码器区块与所述局部位线译码器区块二者至少其中之一配置于所述第二芯片中的所述阵列区块的俯视投影区域内。如此,可以使第一与第二芯片的俯视投影面积相等,缩小平面面积,并可以保持字线译码器与位线译码器和阵列区块中的字线与位线之间的连接平整度。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制备 方法
【主权项】:
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