[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011474796.6 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112614823A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 耿万波;薛磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 该发明涉及一种半导体器件及其制备方法，用于制备存储器器件，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底表面挖设标记槽，所述标记槽深入至所述衬底内部；在所述标记槽内形成填充材料层，从而形成零层标记，且进行化学机械研磨时使用的研磨液对所述填充材料层的刻蚀速率低于预设值；在所述衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构用于形成底栅，所述堆叠结构覆盖所述零层标记；在所述堆叠结构表面挖设隔离槽，所述隔离槽用于隔断将要在所述堆叠结构上形成的相邻两底栅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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