[发明专利]一种基于二维材料的负阻器件制备方法有效
| 申请号： | 202011421417.7 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112510149B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 黄洪伟 | 申请（专利权）人： | 深圳英集芯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L47/00 | 分类号： | H01L47/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 卢泽明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区打石一*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于二维材料的负阻器件，包括衬底，衬底上设置有栅极层、绝缘层、过渡金属二硫化物薄膜层和表面电极层；栅极层作为底电极，表面电极层为分别与过渡金属二硫化物薄膜层电连接、且两者之间间隔设置的源极和漏极；与源极和漏极连接的过渡金属二硫化物薄膜层的区域分别为源极区和漏极区，过渡金属二硫化物薄膜层位于源极区和漏极区之间的沟道区域为二硫化钨/二硫化钼/二硫化钨异质结，源极区和漏极区均由二硫化钼构成；本发明还提供一种基于二维材料的负阻器件的制备方法，整个异质结通过三步化学气相沉积法工艺进行生长，器件的结构和实现方式简单，成本低廉，与TMDs工艺相兼容，适合大规模量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 材料 器件 制备 方法 | ||
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