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[发明专利]基于局部碰撞电离的负阻和非饱和磁阻效应共存的器件-CN202011156234.7有效
发明人：何雄;夏正才 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于局部碰撞电离的负阻和非饱和磁阻效应共存的器件，属于半导体器件技术领域，包括半导体基体和两个金属电极；两个金属电极设置于半导体基体的同一表面且至少有一个金属电极位于半导体基体表面的边缘；向金属电极施加持续增大的电流，半导体基体内形成的局部非均匀电场的电场强度增强，局部碰撞电离的发生，产生等效的载流子注入效应，使器件形成负阻效应；器件置于磁场中，半导体基体内部载流子由于洛伦兹力作用发生非均匀性变化，呈现出非饱和磁阻效应，实现负阻效应和非饱和磁阻效应共存于器件。本发明结构简单、性能测量方法成熟，可应用于发展新型多功能器件，比如具有高磁敏特性的脉冲发生器、新型多功能磁存储器件。
基于局部碰撞电离饱和磁阻效应共存器件

[发明专利]一种利用钙钛矿微米晶实现室温下负微分电阻的方法-CN202010975692.7有效
发明人：向东;赵智宾;倪立发;李跃龙;王文铎;尹凯凯 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：一种利用钙钛矿微米晶实现室温下负微分电阻（NDR）的方法，通过使用镓铟合金（EGaIn）针尖，CH3NH3PbBr3钙钛矿微米晶，和硅基底上的单层石墨烯组成三明治结构，在405nm紫光照射下，由于离子在电极/钙钛矿界面处的分离和累积产生的补偿电场屏蔽了外部施加的电场并增强了光生载流子的重组，使得I‑V曲线呈现出负微分电阻效应。该技术对未来新型集成半导体器件在室温高电压下能够稳定正常地工作提供了新的方法手段。
一种利用钙钛矿微米实现室温微分电阻方法

[发明专利]一种基于二维材料的负阻器件制备方法-CN202011421417.7有效
发明人：黄洪伟 -专利权人：深圳英集芯科技股份有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于二维材料的负阻器件，包括衬底，衬底上设置有栅极层、绝缘层、过渡金属二硫化物薄膜层和表面电极层；栅极层作为底电极，表面电极层为分别与过渡金属二硫化物薄膜层电连接、且两者之间间隔设置的源极和漏极；与源极和漏极连接的过渡金属二硫化物薄膜层的区域分别为源极区和漏极区，过渡金属二硫化物薄膜层位于源极区和漏极区之间的沟道区域为二硫化钨/二硫化钼/二硫化钨异质结，源极区和漏极区均由二硫化钼构成；本发明还提供一种基于二维材料的负阻器件的制备方法，整个异质结通过三步化学气相沉积法工艺进行生长，器件的结构和实现方式简单，成本低廉，与TMDs工艺相兼容，适合大规模量产。
一种基于二维材料器件制备方法

[发明专利]一种纳秒级体负阻效应的微型半导体短路开关-CN202210660812.3在审
发明人：周浩楠;张良;李宋;张亚婷 -专利权人：北京智芯传感科技有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳秒级体负阻效应的微型半导体短路开关。所述短路开关包括：电场加载层、导通层、绝缘层、开关控制层、隔离层和衬底。所述导通层和电场加载层位于所述短路开关最顶层，起电气连接作用；下一层为所述绝缘层，为隔绝导通层与开关控制层的电气连接，保证所述开关的绝缘电阻；所述开关控制层与电场加载层的连接，在一定电场加载条件下，通过体负阻效应实现短路开关纳秒级由通到断的转变；所述隔离层介于所述开关控制层和基底之间，起电气隔离作用，同时能抑制衬底的脉冲电流干扰，增加安全性；所述衬底为短路开关图形化的支撑载体。本发明短路开关通过体负阻效应可以实现纳秒级的电路开关控制，且整体尺寸、质量微小。
一种纳秒级体负阻效应微型半导体短路开关

[发明专利]一种负微分电阻及制备方法-CN201810606845.3有效
发明人：雷双瑛;郭斯佳;沈海云 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种负微分电阻及制备方法，该负微分电阻含有掺钾黑磷‑八磷化二钾异质结，其结构包括硅衬底(1)，在硅衬底(1)上生长第一二氧化硅保护层(2)；在第一二氧化硅保护层(2)上沉积得到掺钾黑磷薄层(3)和八磷化二钾薄层(4)构成的异质结；在异质结上沉积第二二氧化硅保护层(5)；在第二二氧化硅保护层(5)上蚀刻出漏极(VD)接触孔和源极(VS)接触孔，之后接触孔中蒸镀金属层，得到漏极(VD)和源极(VS)，硅衬底(1)为栅极(VG)；本发明负微分电阻具有更加稳定的性质，不仅表现出较高的峰谷电流比，而且其结构稳定，不易退化失效，且其制备工艺简单。
一种微分电阻制备方法

[发明专利]基于金-铁电单晶体系的负微分电阻效应器件及其制备-CN201611167302.3有效
发明人：张静;柯三黄 -专利权人：同济大学
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于金‑铁电单晶体系的负微分电阻效应器件及其制备，所述的负微分电阻效应器件包括分别作为源极和漏极的两个金电极，接触设置在两个金电极之间并构成中间散射区的铁电单晶，以及分别连接所述铁电单晶两边的栅极，所述的金电极、铁电单晶均为位于X轴和Y轴构成平面内的薄层材料，所述的两个金电极和铁电单晶以“金电极‑铁电单晶‑金电极”式的“三明治结构”沿Z轴周期性排列并构成所述负微分电阻效应器件。与现有技术相比，本发明的CdPbO₃中Cd²⁺的4d轨道的态密度与金电极(Au)表面态之间耦合，导致在一定偏压范围内电流会随偏压增大反而减小的负微分电阻效应，有望成为下一代制备高性能电子元器件的候选。
金电极负微分电阻效应铁电单晶铁电单晶体制备电子元器件三明治结构制备高性能周期性排列薄层材料接触设置耦合表面态散射区减小漏极源极两边轨道

[发明专利]金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属装置-CN201811147906.0在审
发明人：胡振国;杨昶丰;林浩雄;潘正圣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;胡振国
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：一种金属‑绝缘体‑半导体‑绝缘体‑金属(MISIM)装置，包括半导体层、设置在半导体层的上表面上的绝缘层、设置在半导体层的与上表面相反的下表面上的背电极以及设置在绝缘层上并且彼此间隔开的第一电极和一第二电极。
绝缘体半导体层绝缘层上表面金属半导体第二电极第一电极金属装置背电极下表面

[发明专利]具有半金属或半导体电极的非易失性存储器-CN201480016247.0有效
发明人： J·R·詹姆森 -专利权人： ADESTO技术公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：一种在不同阻抗状态之间可编程的存储器元件包括，包含半金属或半导体(半金属/半导体)的第一电极层；第二；以及形成在第一和第二电极之间并且包括绝缘材料的开关层；其中半金属/半导体的原子通过施加电场提供了绝缘材料的导电性的可逆改变。
具有金属半导体电极非易失性存储器

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN201710522816.4在审
发明人：李明顶;唐新桂;岳经龙;刘秋香;蒋艳平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括由下至上依次排列的衬底、底电极、三元氧化物薄膜和顶电极。所述半导体器件将钛酸锶材料(三元氧化物AO(ABO3)n)应用于器件结构中，通过对于半导体器件的测试可以看出这种结构的半导体器件随着两端施加电压的升高，半导体器件内部的电流先增大到一极值点后突然变小最终维持在一个平稳状态，呈现出明显的负微分电阻特性。这种结构的半导体器件结构简单，可以实现电子器件的高度集成，且稳定性较高。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]基于黑磷/二硫化铼异质结的负微分电阻及制备方法-CN201710211254.1在审
发明人：雷双瑛;沈海云 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于黑磷/二硫化铼异质结的负微分电阻及制备方法，包括硅衬底、第一二氧化硅保护层、黑磷薄层和二硫化铼薄层构成的异质结、第二二氧化硅保护层、漏极和源极；硅衬底为栅极。硅衬底上生长第一二氧化硅保护层；在第一二氧化硅保护层上沉积得到黑磷薄层和二硫化铼薄层构成的异质结；在异质结上沉积第二二氧化硅保护层；在第二二氧化硅保护层表面蒸镀一层金属层，刻蚀出漏极和源极。本发明的异质结构成的负微分电阻无需额外掺杂，制备工艺更简单，仅仅通过范德瓦耳斯力就能将两种不同材料的半导体连接形成异质结；同时该负微分电阻表现出很高的峰谷电流比。
基于黑磷硫化铼异质结微分电阻制备方法

[发明专利]具有钝化的切换层的非易失性电阻式存储器元件-CN201280059555.2无效
发明人：查伦·陈;迪潘克尔·普拉马尼克 -专利权人：桑迪士克3D有限责任公司;株式会社东芝
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：一种非易失性电阻式存储器元件具有在沉积切换层期间或之后利用例如氮等非金属掺杂剂原子进行钝化的新型可变电阻层。在可变电阻层中非金属掺杂剂原子的存在使切换层能够通过较小的切换电流来进行操作同时维持改进的数据保持特性。
具有钝化切换非易失性电阻存储器元件

[发明专利]基于硅-分子复合体系单分子负微分电阻器件及制备方法-CN201310020439.6有效
发明人：张汇;王炜华;纪永飞;王兵;侯建国 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2013-01-21 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅-分子复合体系的单分子负微分电阻效应器件，是一种利用钴酞菁分子中的二价钴离子dz2轨道的态密度和R3-银/硅表面的S1表面态之间的共振所制备出来的一种单分子器件，其包括：源极、漏极、栅极、钴酞菁分子和隧穿层，其中：单个钴酞菁分子位于所述源极和所述漏极之间，所述钴酞菁分子的平面与所述源极和所述漏极之间的连线垂直，所述钴酞菁分子中的钴离子与所述源极接触；所述漏极与所述钴酞菁分子之间设有隧穿层。本发明同时还提供一种制备上述单分子负微分电阻效应器件的方法。该分子器件的负微分电阻效应很稳定，与衬底的掺杂种类和掺杂浓度无关，且该分子器件体积小，性能高，可以广泛应用在今后基于纳米材料的电子线路中。
基于分子复合体系微分电阻器件制备方法

[发明专利]如用于质量感测的单块FBAR-CMOS结构-CN201080018971.9有效
发明人：马修·约翰斯顿;肯尼斯·谢巴德;阿尼斯·卡米斯 -专利权人：纽约市哥伦比亚大学信托人
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种设备，包括薄膜体声波谐振器，该薄膜体声波谐振器如包括声反射镜、在声学上连接至声反射镜的压电区域、电连接至压电区域的第一导体和第二导体。在一种实施例中，集成电路衬底可以包括连接至谐振器的第一导体和第二导体的接口电路，该集成电路衬底构造为机械地支撑谐振器。一种实施例可以包括这种谐振器的阵列，其与接口电路共同集成在一起并构造为检测与指定蛋白结合、指定抗体-抗原耦合、DNA低聚体的指定杂化或指定气体分子的吸附中的一个或多个相关联的质量变化。
用于质量 fbar cmos 结构

[发明专利]多层硫属化物和具有提高的操作特性的相关器件-CN200880021336.9无效
发明人： R·桑多瓦尔;W·楚巴蒂;T·劳里;浅野勇 -专利权人：奥翁尼克斯公司
申请日： 2008-06-02 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：多层硫属化物、存储或开关器件。该器件包括位于第一端子和第二端子之间的活性区。该活性区包括第一层和第二层，其中层之一是包括操作组分和促进剂组分的异质层。另一层可以是均质层或异质层。在示例性实施方案中，操作组分是硫属化物或相变材料，促进剂组分是绝缘或介电材料。促进剂组分的掺入提供了有益性能特性，如复位电流的降低或定型要求的最小化。
多层硫属化物具有提高操作特性相关器件

[发明专利]使用半导体微影技术制备单电子电晶体的方法-CN200680049326.7无效
发明人：林明农 -专利权人：林明农;陈崇钦
申请日： 2006-12-29 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：一种使用半导体微影技术制备单电子电晶体的方法。在一涂有光阻剂的基材上，形成一奈米结构筒状细孔。将气体分子镀源材料以垂直方向穿过奈米缩小口，而直接在基材上沈积出一与奈米缩小口相同开口直径的浮闸奈米量子点。另汲极、源极与闸极等奈米量子点也由镀源材料保持相同的输出方向，且使基材倾斜并以顺时钟方向绕着该基材的中心轴旋转而分别地加以形成。再以湿式或干式蚀刻方式除去基材光阻剂上的奈米结构筒状细孔后，即可在基材表面上形成具有一浮闸奈米量子点、一汲极奈米量子点、一源极奈米量子点及一闸极奈米量子点的一个单电子电晶体。
使用半导体技术制备电子电晶体方法

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