[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710522816.4 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107170884A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 李明顶;唐新桂;岳经龙;刘秋香;蒋艳平 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L47/00 | 分类号： | H01L47/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，所述半导体器件包括由下至上依次排列的衬底、底电极、三元氧化物薄膜和顶电极。所述半导体器件将钛酸锶材料(三元氧化物AO(ABO3)n)应用于器件结构中，通过对于半导体器件的测试可以看出这种结构的半导体器件随着两端施加电压的升高，半导体器件内部的电流先增大到一极值点后突然变小最终维持在一个平稳状态，呈现出明显的负微分电阻特性。这种结构的半导体器件结构简单，可以实现电子器件的高度集成，且稳定性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的底电极；位于所述底电极背离所述衬底一侧表面的三元氧化物薄膜，所述三元氧化物薄膜的化学通式为AO(ABO3)n；位于所述三元氧化物薄膜背离所述底电极一侧表面的顶电极。
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