[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法在审
申请号: | 202011409970.9 | 申请日: | 2020-12-03 |
公开(公告)号: | CN113555427A | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 吴在浚;金钟燮 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 马晓蒙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种高电子迁移率晶体管及制造该高电子迁移率晶体管的方法。该高电子迁移率晶体管包括提供在耗尽形成层上的栅电极。栅电极包括被配置为与耗尽形成层形成欧姆接触的第一栅电极以及被配置为与耗尽形成层形成肖特基接触的第二栅电极。 | ||
搜索关键词: | 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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