[发明专利]一种倒装GaN功率器件封装结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011381123.6 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112289752B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王其龙;徐洋;施嘉颖;杨凯锋;顾红霞 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/488;H01L23/495;H01L21/58;H01L29/861;H01L29/20 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种倒装GaN功率器件封装结构，包括陶瓷基板，陶瓷基板表面下沉有开槽，开槽的槽体形状呈倒“凹”型，开槽槽体底部和陶瓷基板背部覆有铜层，倒“凹”型槽体的上部中间涂覆有绝缘漆，绝缘漆层的长边两侧和正面铜层之间开有V槽，倒“凹”形槽体的下部和长边一侧正面铜层各点上焊锡膏，V槽外侧正面铜层上，远离绝缘漆的一侧通过焊锡膏倒装贴附有芯片，倒“凹”型槽体的下部通过焊锡膏和引线框架脚架焊接区进行焊接。保证芯片在倒扣的状态下安全焊接，对引线框架有定位作用，保证框架在焊接过程中不会出现滑移现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 gan 功率 器件 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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