[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202011297637.3 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112103333A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 袁野;詹奕鹏;陈建铨;蔡信裕;陈明睿 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，所述半导体结构的制造方法包括：首先，提供一衬底，且所述衬底上形成有浅沟槽隔离结构；在衬底中形成第一掺杂类型的阱和第二掺杂类型的阱，所述第一掺杂类型的阱第一部分和第二掺杂类型的阱第一部分位于浅沟槽隔离结构下方，且所述第一掺杂类型的阱第一部分和所述第二掺杂类型的阱第一部分部分重叠，或者所述第一掺杂类型的阱第一部分和第二掺杂类型的阱第一部分隔离开，裸露出衬底。通过第一掺杂类型的阱和第二掺杂类型的阱的部分重叠或者分开能有效提升PN结的击穿电压，以及降低漏电流，进而提高闩锁效应的免疫度，解决系统级ESD失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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