[发明专利]一种具有深能级掺杂的肖特基二极管在审
| 申请号： | 202011271968.X | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112289868A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 刘贻盛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有深能级掺杂的肖特基二极管，其包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有若干个沟槽，每一沟槽内侧壁和底部形成有栅氧化层，该沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅覆盖在多个沟槽内的栅氧化层上，每一沟槽旁形成有深能级杂质层，所述深能级杂质层以及沟槽上表面形成有金属层。本发明肖特基二极管中每一沟槽旁形成有深能级杂质层，深能级杂质层以及沟槽上表面形成有金属层，在常温情况下，深能级杂质层中的杂质未能完全激活，二极管势垒较低，正向压降也比较低；而在高温情况下，杂质大部分激活，可以有效提高肖特基二极管的势垒高度，降低肖特基二极管高温漏电流，进而降低器件功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 能级 掺杂 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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