[发明专利]功率半导体器件门极驱动检测电路及其控制方法在审
| 申请号： | 202011187514.4 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112363040A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 潘学军;曾宏;陈芳林;操国宏;孙永伟;邹平;陈勇民;徐焕新;蒋谊;彭文华 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请提供的一种功率半导体器件门极驱动检测电路及其控制方法，该电路包括门阴极电压检测单元，用于检测所述功率半导体器件的门极和阴极之间的电压差；高压检测单元，用于检测所述功率半导体器件的阳极和阴极之间的电压差；逻辑单元，用于在接收到所述外部控制系统发出的外部控制信号时输出第一控制信号，以及接收所述第一检测信号和所述第二检测信号并分别对所述第一检测信号和所述第二检测信号对应的电压差进行判断；触发单元，用于根据所述逻辑单元输出的控制信号生成触发信号，以控制所述功率半导体器件导通。检测电路组成元件简洁、可靠，不仅降低了驱动电路的复杂程度，还节约成本，可广泛应用于功率半导体型器件的驱动电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 驱动 检测 电路 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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