[发明专利]抛光垫、其制备方法及使用其制备半导体器件的方法有效
| 申请号： | 202011178119.X | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112809549B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 尹晟勋;许惠暎;徐章源 | 申请（专利权）人： | SKC索密思株式会社 |
| 主分类号： | B24B37/26 | 分类号： | B24B37/26;B24B37/24;B24D18/00;B24B37/10;B24B47/12 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 王卫彬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种抛光垫、其制备方法及使用其制备半导体器件的方法。实施方案涉及一种用于半导体的化学机械平坦化(CMP)工艺的抛光垫、其制备方法以及使用该抛光垫制备半导体器件的方法。在根据本实施方案的抛光垫中，调节多个孔的尺寸(或直径)和分布，从而可以进一步提高抛光性能例如抛光速率和晶圆内非均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 制备 方法 使用 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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