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[发明专利]一种下部电极再生涂层研磨装置及其方法-CN202311129165.4在审
发明人：黄辉;沈盛虎;刘洪宇 -专利权人：安徽高芯众科半导体有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种下部电极再生涂层研磨装置及其方法，一种下部电极再生涂层研磨装置，包括工作台以及安装在工作台上的承托部件，工作台的顶部开设有两个承托槽，两个承托槽位于下部电极的两侧，承托部件包括两个分别转动安装在承托槽内底面上的承托螺杆；两个承托槽的内底面上均固定连接有承托导杆；承托螺杆与承托导杆上套设有用于承托下部电极的承托板，承托螺杆与承托板螺纹连接。一种下部电极再生涂层研磨方法，包括以下步骤：S1、首先启动电机，电机带动承托板上升，当承托板移动至承托螺杆的顶部时，清理板对工作台上的铝屑与杂质进行清理。本申请改善了工作人员的操作过程较为繁琐的问题。
一种下部电极再生涂层研磨装置及其方法

[发明专利]一种保持环的预研磨方法-CN202310874991.5在审
发明人：惠宏业;姚力军;宋召东;赵梓聿;左威;柏钧天 -专利权人：宁波润平电子材料有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种保持环的预研磨方法，所述预研磨方法包括：对所述保持环的塑料面依次进行第一研磨和第二研磨；所述第一研磨中研磨液的流量为12‑18mL/min；所述第二研磨中研磨液的流量为5‑10mL/min。所述预研磨方法对保持环的塑料面采用研磨液流量依次递减的第一研磨和第二研磨，通过对处理过程的特定设计，不仅显著提升了机械化学研磨中的研磨效率，还可以满足晶圆研磨对保持环的表面质量要求。
一种保持研磨方法

[实用新型]一种氮化铝基板表面研磨装置-CN202320293607.8有效
发明人：熊大康;杨大胜;施纯锡;冯家伟 -专利权人：福建华清电子材料科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及氮化铝基板加工技术领域，尤其涉及一种氮化铝基板表面研磨装置，包括支撑架，所述支撑架的左右两侧均开设有开口且两个开口内壁的上表面均固定安装有若干个气缸，同侧的若干个气缸活塞杆的端部固定安装有同一个安装板，支撑架内设置有两个转轴二，两个转轴二的外表面均设置有研磨辊，两个转轴二的外表面均固定安装有若干个限位板，研磨辊上开设有与配合限位板使用的限位槽，研磨辊的两侧均设置有两个传送辊，通过设置气缸、安装板、转轴二、研磨辊和传送辊，气缸带动安装板上下运动，安装板带动上方的转轴二和传送辊同步运动，进而对研磨辊和传送辊高度调节，其解决了不便于对不同尺寸厚度基板进行研磨的问题。
一种氮化铝基板表面研磨装置

[实用新型]一种具有过滤功能的冷却水喷淋装置-CN202320831505.7有效
发明人：石晟禧;张波;于宏亮 -专利权人：石晟禧
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有过滤功能的冷却水喷淋装置，包括主箱体，所述主箱体的顶部固定插设有进水管，所述进水管上螺纹连接有进水阀门，所述主箱体的内顶部固定连接有隔板，所述主箱体远离进水管一端的顶部固定插设有出水管，所述出水管上螺纹连接有自吸泵，所述主箱体靠近进水管的一侧滑插设有安装筒，所述隔板上设有与安装筒对应的安装槽，所述安装筒内滑动插设有过滤机构，所述安装筒的一端贯穿主箱体的内壁并固定连接有把手，所述安装筒的顶部固定连接有固定块，所述主箱体的外壁上固定连接有卡块。本实用新型中通过过滤机构的设置，可以有效的对冷却水进行过滤处理，从而有效防止冷却水中的杂质进入产品中。
一种具有过滤功能冷却水喷淋装置

[发明专利]硅材料加工工艺-CN202310805370.1在审
发明人：辛长林;王宇;陈浩;崔金石 -专利权人：安徽高芯众科半导体有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本申请涉及硅材料技术领域，具体公开了硅材料加工工艺。本申请的硅材料加工工艺，包括以下步骤：先采用切削液#3对原材料进行粗磨加工，采用切削液#1对硅材料进行第一次研磨，并进行外径加工；采用切削液#2对硅材料进行打孔加工，再采用酸液对硅材料进行酸性孔蚀刻，采用切削液#1对硅材料进行两次研磨后，进行外段径加工；最后采用切削液#1对硅材料进行第四次研磨后，得成品；在加工过程中，对研磨和打孔的硅材料进行超声清洗，且采用接触式和非接触式相结合方式进行测量，保证加工余量合理；经本申请加工工艺，所得硅材料的打孔效果优异，具有广阔的市场前景。
材料加工工艺

[实用新型]一种氮化铝陶瓷基板表面研磨机-CN202321098661.3有效
发明人：刘春明;和益恒;李有华;马继超 -专利权人：焦作市名泽磁业有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型属于研磨机技术领域，具体的说是一种氮化铝陶瓷基板表面研磨机，包括底座；所述底座的底部固接有一组支撑柱；所述底座的侧壁通过卡位件设有支撑杆；所述支撑杆的侧壁固接有横杆；所述横杆的外侧壁滑动连接有口形块；所述口形块的底部通过往复件设有连接杆；所述连接杆的一端设有研磨组件；在往复件的作用下，可以让口形块在横杆上往复移动，使研磨组件可以在基板上纵向往复运动，减少使用人员在对基板研磨中，需要对基板进行来回前后移动的动作，简便了使用人员的操作，提高了对基板的研磨效率，以解决导致基板在打磨过程中增大使用人员的劳动强度，影响氮化铝陶瓷基板的研磨效率的问题。
一种氮化陶瓷表面研磨机

[发明专利]光纤套箍的端面研磨用装置、在该装置中使用的偏置环-CN202310257519.7在审
发明人：澁谷裕二;田中悠辉 -专利权人：株式会社精工技研
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种光纤套箍的端面研磨用装置，该光纤套箍的端面研磨用装置通过将偏置环载置于支撑件保持台的上部，能够降低按每个研磨工序反复进行的研磨用支撑件向光纤套箍的端面研磨用装置的保持、释放的作业负荷，并且还能够降低构件的磨损。在具有保持或释放装拆自如地安装光纤套箍的研磨用支撑件的四个保持释放部的光纤套箍的端面研磨用装置中，所述保持释放部具有：支撑件保持台，固定于所述光纤套箍的端面研磨用装置的底板；偏置环，载置于所述支撑件保持台的上部；以及轴承，在该偏置环的上表面部上滑动。
光纤端面研磨装置使用偏置

[实用新型]一种研磨头及打磨机-CN202223170753.6有效
发明人：陈正宜 -专利权人：广东亦能地坪设备有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种研磨头及打磨机，研磨头包括研磨头本体和多个研磨环；研磨头本体为圆盘且中心开设有安装孔；多个研磨环与研磨头本体一体成型，多个研磨环同心间隔设在研磨头本体上，且多个研磨环的半径随着研磨头本体径向方向逐渐增大；每个研磨环均包括多个研磨块，多个研磨块间隔环绕形成研磨环。多个研磨环与研磨头本体一体成型，从而使得研磨头制作成本低，并且不易损坏，再者，多个研磨环同心间隔设在所述研磨头本体上，多个研磨块间隔环绕形成所述研磨环，能够提高打磨机的工作效率，快速地将地面打磨光滑，在遇到较大的石块时，也能轻松将石块磨平；而研磨块四边为锯齿边结构，可以使得打磨机快速地将地面打磨光滑。
一种研磨打磨

[实用新型]一种锅炉手孔密封端面打磨装置-CN202321375230.7有效
发明人：阮跃进;周盛夫;殷勇;刘吉赛 -专利权人：安徽华创新材料股份有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种锅炉手孔密封端面打磨装置，属于锅炉维修设备技术领域，包括横板，横板的中心贯穿设置有转轴，转轴的一端铰接有研磨座，研磨座靠近铰座的端面粘接有砂纸，转轴的另一端圆周侧设置有螺纹，螺纹上螺纹连接有锁紧螺母，锁紧螺母与横板之间设置有推力球轴承，推力球轴承套设在转轴上，推力球轴承套能够减小拧动转轴时的摩擦阻力；本实用新型结构简单、成本低廉，且能够轻松快捷地安装于椭圆手孔上，通过拧动六角头带动转轴转动，就能实现研磨座对手孔密封端面的清理和打磨，能够解决手孔密封端面密封不严的问题，大大提高了锅炉检修工作的效率和可靠性。
一种锅炉密封端面打磨装置

[发明专利]一种升降挡圈及同心校准方法-CN202310980287.8在审
发明人：孙浩程 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种升降挡圈及同心校准方法，属于化学机械研磨技术领域，该升降挡圈，包括：升降挡圈本体和距离检测装置；升降挡圈本体在使用时环绕在研磨盘的外侧；升降挡圈本体上沿周向方向设置有至少三个待测位置；距离检测装置设置在升降挡圈本体上，用于检测各待测位置到研磨盘的边缘的距离是否相等，以根据检测结果判断是否对升降挡圈本体的位置进行调整。本申请在升降挡圈本体上添加距离检测装置，通过距离检测装置检测升降挡圈本体周向方向上的多个待测位置到研磨盘的距离是否相等，来判断升降挡圈是否与研磨盘同心，使升降挡圈具有自动校准与研磨盘同心的功能，提高了升降挡圈与研磨盘同心对中精度，为校准升降挡圈提供了参考。
一种升降同心校准方法

[发明专利]一种研磨方法及膜结构-CN202310800067.2在审
发明人：宋伟丽;高骏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种研磨方法及膜结构；对于存在显著图形密度差异的工件结构，通过设置牺牲层即第四介质层（040）来平衡研磨过程中由于较高的选择比带来的负载效应LE（Loading Effect）；其中，牺牲层可通过氧化过程来构造，并可通过调节氧化过程的氧气比例实现膜厚度的定量补偿；其牺牲层可基于前置的多晶硅沉积步骤获得相应的氧化硅膜结构；相关方法和结构可消除由于负载效应LE引入的下陷碟状（Dishing）瑕疵或由此导致的研磨差异和加工参数波动，并可进一步克服虚拟图形（Dummy）在消除负载效应LE时的不足，降低设备报警几率、提升产品良率和工作时间比（RWK Ratio）。
一种研磨方法膜结构

[发明专利]高频传输微结构的平坦化方法、装置及电子设备-CN202210811005.7有效
发明人：孙庆灵;杨云春;陆原;张拴;范建国 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频传输微结构的平坦化方法、装置及电子设备，其中的方法包括：获得所述铜层的需求去除量和所述光刻胶层与所述铜层之间的高度差；根据所述需求去除量和所述高度差，确定所述光刻胶层与所述铜层的研磨速率比；根据所述研磨速率比、第一对应关系和第二对应关系，确定研磨盘的目标转速；所述第一对应关系为使用铜研磨液进行化学机械抛光时，铜的研磨速率与研磨盘转速的映射关系；所述第二对应关系为使用铜研磨液进行化学机械抛光时，光刻胶的研磨速率与研磨盘转速的映射关系；根据所述目标转速，采用化学机械抛光方法对所述高频传输微结构进行平坦化。上述方法降低了平坦化的时间成本和工艺成本。
高频传输微结构平坦方法装置电子设备

[发明专利]主轴俯仰和偏摆调节结构及调节方法、晶圆减薄机-CN202311035207.8在审
发明人：杨云龙;朱慧家;孙志超;沈海丽;蔡国庆;徐基应;周旭平 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了主轴俯仰和偏摆调节结构及调节方法、晶圆减薄机，属于晶圆减薄技术领域。该调节结构包括调节板、基板、第一顶丝和第二顶丝；其中，调节板包括外板和内板，内板的第一侧面与外板连接，内板的第二侧面与外板之间具有能够使外板产生弹性形变的间隙，主轴固定连接至外板；基板连接至安装座且间隔位于调节板的一侧，内板固定连接至基板；第一顶丝螺纹穿设于外板内并能够沿X轴螺旋拧动，以使外板带动主轴相对于Z轴沿前后方向俯仰调节；第二顶丝螺纹穿设于外板内并能够沿Y轴抵压内板，以使外板带动主轴相对于Z轴沿左右方向偏摆调节。该调节结构的体积较小，重量较轻，能够避免主轴在长时间工作中发生变形。
主轴俯仰调节结构方法晶圆减薄机

[发明专利]一种平坦化工艺方法-CN202011600528.4有效
发明人：时亚南;罗海龙;齐飞 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种平坦化工艺方法，包括：提供基底；在所述基底上形成图形化结构层；在所述结构层上形成第一介质层，所述第一介质层包括覆盖所述基底的第一子介质层，和覆盖所述结构层的第二子介质层，所述第一子介质层厚度大于所述结构层；刻蚀所述第二子介质层；对所述第一介质层进行平坦化工艺处理，直至至少暴露出部分所述结构层。本发明通过增加刻蚀结构层上方的第二子介质层，能够缩短研磨时间，减少平坦化工艺对第一介质层的研磨量以及对结构层的厚度均匀性的影响，进一步的提高结构层在晶圆内的均匀性。
一种平坦化工方法

[发明专利]一种易碎工件的单面研磨方法和双面研磨方法-CN202310664796.X在审
发明人：王永成 -专利权人：上海致领半导体科技发展有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开一种易碎工件的单面研磨方法和双面研磨方法，涉及研磨工艺技术领域，单面研磨方法：将牺牲件和易碎工件分别固定在单面研磨机的载盘上，并使牺牲件的材质与易碎工件材质相同，牺牲件的厚度大于易碎工件的厚度，再对易碎工件进行研磨；双面研磨方法：将牺牲件和易碎工件分别放置在双面研磨机的游星轮上，并使牺牲件的材质与易碎工件材质相同，牺牲件的顶端高于易碎工件的顶端，再对易碎工件进行研磨。本发明的易碎工件的单面研磨方法和双面研磨方法避免陶瓷件和半导体晶片在研磨加工中发生破碎。
一种易碎工件单面研磨方法双面

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