[发明专利]一种场效应晶体管模组及场效应晶体管模组的设计方法有效
申请号: | 202011148797.1 | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN112271212B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 蔡俊嘉 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/417 | 分类号: | H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 梁凯 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种场效应晶体管模组及场效应晶体管模组的设计方法,属于半导体技术领域,解决了现有技术所设计的场效应晶体管封装结构在面对较大电流的应用场景时需要外挂额外的电阻,尤其是当外挂多颗电阻时,严重影响布局空间的问题。所述方法包括:晶体管本体及电阻组件;所述晶体管本体与所述电阻组件连接,所述电阻组件设置于所述晶体管本体的源极。 | ||
搜索关键词: | 一种 场效应 晶体管 模组 设计 方法 | ||
【主权项】:
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