[发明专利]屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010693343.6 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111863969B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李豪;张杰;胡舜涛;潘晓伟 | 申请（专利权）人： | 上海陆芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法。屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制造方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成沟槽；其中，所述半导体衬底的上表面设置有第一绝缘层，所述沟槽由所述半导体衬底和所述第一绝缘层围合而成；在所述沟槽底部形成屏蔽导体；在所述屏蔽导体上形成栅极导体，所述栅极导体的上表面与所述第一绝缘层的上表面齐平；去除所述第一绝缘层，所述栅极导体的上表面高出所述半导体衬底的上表面。与现有技术相比，本发明实施例减小了屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的栅极电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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