[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010574610.8 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN112420837A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 黄则尧 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李晔;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底；一漏极，配置在该基底中；一漏极接触点，配置在该漏极中；一源极，配置在该基底中；一源极接触点，配置在该源极中；一栅极结构，配置在该漏极与该源极之间，具有一底部；一通道，配置在该栅极结构的该底部，连接该漏极与该源极；一漏极应力源，配置在该漏极中并位于该栅极结构与该漏极接触点之间；一漏极应变硅层，配置在该基底中，并围绕该漏极应力源，且连接该通道；一源极应力源，配置在该源极中，并位于该源极接触点与该栅极结构之间；以及一源极应变硅层，配置在该基底中，并围绕该源极应力源，且连接该通道。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010574610.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带有机械减震鞋底的鞋
- 下一篇：在存在分组丢弃时保持带宽利用率
- 同类专利
- 专利分类
