[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202010564780.8 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN112151613A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 翁翊轩;李威养;杨丰诚;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供半导体结构与其制作方法。半导体结构可包括多个通道层位于半导体基板上；多个金属栅极结构各自位于两个通道层之间；内侧间隔物位于每一金属栅极结构的侧壁上；源极/漏极结构与金属栅极结构相邻；以及低介电常数的介电结构位于内侧间隔物上，其中低介电常数的介电结构延伸至源极/漏极结构中。低介电常数的介电结构可包含两个不类似的介电层，且其中之一可为空气。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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