[发明专利]一种SiC异质结晶体管外延结构及器件在审
| 申请号： | 202010500900.8 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111599855A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 钮应喜;左万胜;刘洋;张晓洪;刘锦锦;袁松;胡新星;史田超;史文华;钟敏;郗修臻 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/165;H01L29/04;H01L29/778 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC异质结晶体管外延结构及器件，所述SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括C面4H‑SiC衬底、4H‑SiC外延层、N型3C‑SiC外延层；该结构中3C‑SiC与4H‑SiC形成的异质结具有可忽略的热匹配和晶格匹配，3C‑SiC和4H‑SiC在0001面的晶格失配小于0.1％，具有更好的界面结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 结晶体 外延 结构 器件 | ||
【主权项】：
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