[发明专利]二维材料器件与GaN器件异质集成结构及制备方法有效
| 申请号： | 202010475767.5 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111599857B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 莫炯炯;王志宇;陈华;刘家瑞;郁发新 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/20;H01L29/24;H01L29/778;H01L29/78;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种二维材料器件与GaN器件异质集成结构及制备方法，在同一蓝宝石衬底上异质集成二维材料器件与GaN器件，并通过二维材料器件控制GaN器件的开、关，提高整体异质集成结构的性能，发挥GaN器件优势；通过互连电极，实现电连接，降低寄生效应；在二维材料器件中，以二维材料层作为沟道，石墨烯层作为欧姆接触，解决二维材料器件欧姆接触不良的问题；通过T型栅极作为掩膜版并进行自对准工艺，形成第二源极及第二漏极，缩短了T型栅极与源极及漏极的距离，降低了二维材料器件的接入电阻，提高了二维材料器件的性能；本发明可充分发挥GaN器件的优势，并提高整个异质集成结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 材料 器件 gan 集成 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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