[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置在审
申请号: | 202010470263.4 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN112017952A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 中井仁司;大须贺勤;吉原直彦;金松泰范;奥谷学;天久贤治;林昌之 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/06 | 分类号: | H01L21/06;H01L21/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张敬强;金成哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括:药液处理工序,保持覆盖基板的图案形成面的药液的液膜,并使用药液来处理图案形成面;中间处理工序,使用中间处理液来处理图案形成面;填充剂喷出工序,朝向图案形成面喷出填充剂;填充剂扩大工序,使填充剂朝向基板的外周扩展;固化膜形成工序,在图案形成面形成填充剂的固化膜;下位置配置工序,将遮断部件配置在下位置并维持在下位置;以及遮断部件上升工序,朝向位于比下位置更靠上方的上位置开始遮断部件的上升。药液处理工序包括从中央喷嘴朝向图案形成面喷出药液的工序。填充剂扩大工序包括在遮断部件位于上位置的状态下开始图案形成面上的填充剂的扩大的工序。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010470263.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 半导体纳米线的形成方法-201911360929.4
- 李艳丽;伍强;杨渝书 - 上海集成电路研发中心有限公司
- 2019-12-25 - 2023-10-27 - H01L21/06
- 本发明提供了一种半导体纳米线的形成方法,通过导向自主装工艺、相应的光刻和刻蚀工艺来制备出周期性排列且尺寸均匀的岛状结构,并对所述岛状结构进行退火,以使得所述岛状结构中的催化剂层能催化所述岛状结构中的半导体衬底形成粗细均匀,排列有序的半导体纳米线。
- 一种二维碲烯的局部减薄方法-202210654988.8
- 柴扬;林梓愿 - 香港理工大学深圳研究院
- 2022-06-10 - 2022-09-23 - H01L21/06
- 本发明公开一种二维碲烯的局部减薄方法。该二维碲烯的局部减薄方法,包括步骤:提供待减薄的二维碲烯;在所述二维碲烯的一端制备铂层;将制备有铂层的二维碲烯浸泡在水中,并采用光照射;在光照射条件下浸泡预定时间后,取出并干燥,得到局部减薄的二维碲烯。本发明利用二维碲烯在金属铂的催化下发生的光氧化反应,实现了二维碲烯的局部减薄。本发明该减薄方法,其对剩余的二维碲烯的损伤小。另外,该减薄方法控制容易,通过控制浸泡时间即可控制减薄的厚度。此外,本发明利用金属铂的催化作用,使得二维碲烯的减薄能够局限在金属电极附近,通过选择金属电极位置能够实现二维碲烯选择性的减薄。
- 一种图案化减薄二维碲烯的方法-202210451985.4
- 林沛;吴翟;陈芳芳;李娟娟;姚金荣;高乐楠;李新建 - 郑州大学
- 2022-04-26 - 2022-08-05 - H01L21/06
- 本发明公开了一种图案化减薄二维碲烯的方法,包括以下步骤:(1)将预先制备好的二维碲烯转移至目标衬底;(2)在目标衬底中二维碲烯表面旋涂电子束光刻胶,烘烤后利用电子束曝光方法将所述的电子束光刻胶进行图案化;(3)将所得的图案化电子束光刻胶的二维碲烯置于氧化剂溶液中浸泡,对图案化区域暴露的二维碲烯进行选择性刻蚀减薄;(4)先用有机溶剂去除二维碲烯表面的电子束光刻胶,再用去离子水冲洗,最后在一定温度下干燥冲洗干净后的二维碲烯,即得所述图案化减薄的二维碲烯。本发明的减薄方法操作简单、绿色经济,适合大面积二维碲薄膜的图案化减薄,且避免了传统图案化减薄方法中因高能粒子轰击而引起的材料表面损伤问题。
- 一种减小接触电阻提高碲烯场效应晶体管性能的方法-202111445763.3
- 王一休;杨青;李凌 - 之江实验室
- 2021-12-01 - 2022-06-10 - H01L21/06
- 本发明公开了一种减小接触电阻提高碲烯场效应晶体管性能的方法,包括以下步骤:S1:合成二维碲烯,并转移到基底上,清洗得到含有二维碲烯的基底;S2:将所述含有二维碲烯的基底上旋涂光刻胶,旋涂后烘焙光刻胶,待烘焙完冷却后准备图案化电极图形,得到图形化后的二维碲烯基底;S3:配置氯化钯溶液;S4:将所述图形化后的二维碲烯基底浸渍于氯化钯溶液中,然后清洗,吹干,得到碲烯场效应晶体管半成品;S5:用磁控溅射的方法在碲烯场效应晶体管半成品上生长一层高功函的金属材料,最后用丙酮清洗,得到碲烯场效应晶体管。本发明降低电子跨越的势垒,起到减小接触电阻的效果,提高晶体管的性能。
- 防止焊接点之间的桥接-202080061510.3
- 宫泽理沙;渡边敬仁;森裕幸;冈本圭司 - 国际商业机器公司
- 2020-08-19 - 2022-04-08 - H01L21/06
- 公开了一种制造连接结构的方法。该方法包括提供具有顶表面并包括用于焊接的焊盘组的基板,每个焊盘具有从基板的顶表面暴露的焊盘表面。该方法还包括对基板的顶表面中靠近焊盘的部分和每个焊盘的焊盘表面施加表面处理,以使焊盘的顶表面和焊盘表面的至少一部分更粗糙。
- 一种硒整流片制备工艺-201810626521.6
- 钱林;陈晶 - 鹤壁维达科巽电气有限公司
- 2018-06-06 - 2022-03-01 - H01L21/06
- 本发明公开了一种硒整流片制备工艺。其硒整流片是通过切片、洗片、喷砂、烘干、蒸发铋、硒制备、蒸发硒、回蒸片、预赋能、冲剪、熔合金、喷合金、联片、主赋能、倒角、冲击、电赋能、冲击、筛片、反向测量、成检包装和入库储存工艺制备而成。由于本发明利用半导体硒作为主要材料,采用特殊工艺过程将硒涂敷在整流片上,形成硒片半导体元件,增强了整流及过载保护,延长了半导体元件寿命,从而达到节能降耗的目的。
- 基板处理方法以及基板处理装置-202010470263.4
- 中井仁司;大须贺勤;吉原直彦;金松泰范;奥谷学;天久贤治;林昌之 - 株式会社斯库林集团
- 2020-05-28 - 2020-12-01 - H01L21/06
- 本发明提供基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括:药液处理工序,保持覆盖基板的图案形成面的药液的液膜,并使用药液来处理图案形成面;中间处理工序,使用中间处理液来处理图案形成面;填充剂喷出工序,朝向图案形成面喷出填充剂;填充剂扩大工序,使填充剂朝向基板的外周扩展;固化膜形成工序,在图案形成面形成填充剂的固化膜;下位置配置工序,将遮断部件配置在下位置并维持在下位置;以及遮断部件上升工序,朝向位于比下位置更靠上方的上位置开始遮断部件的上升。药液处理工序包括从中央喷嘴朝向图案形成面喷出药液的工序。填充剂扩大工序包括在遮断部件位于上位置的状态下开始图案形成面上的填充剂的扩大的工序。
- 一种快速涂刷导热硅脂工装-201821588446.0
- 宗恒超;赵海春;张志国;鹿怀骥;高扬;董雪武 - 大连国通电气有限公司
- 2018-09-28 - 2019-06-28 - H01L21/06
- 本实用新型涉及一种工整,一种快速涂刷导热硅脂工装,包括印板固定夹、搬杆、转板导向支柱、转板支架、支柱固定架、托板支架、旋钮柱塞、托板、印板及第一、二、三、四锁紧手柄,所述支柱固定架及托板支架分别通过螺栓固定在底板上,印板可沿印板固定夹轴向转动并通过第二、三锁紧手柄手动锁紧,印板固定夹及印板通过转板支架沿转板导向支柱方向上下移动,以适应不同高度的IGBT功率元件涂刷,并通过第一、四锁紧手柄手动锁紧,当IGBT功率元件涂刷完成后,按压搬杆,将印板抬起,取出IGBT功率元件;本实用新型不仅能确保对IGBT器件涂刷的质量要求,而且适合大批量的涂刷工作,提高了工作效率,降低了生产成本。
- 全波长刻蚀工艺终点控制仪-201620704919.3
- 睢智峰 - 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
- 2016-07-06 - 2017-04-12 - H01L21/06
- 全波长刻蚀工艺终点控制仪,它由光纤、入射狭缝、垂直滑块、水平滑块、全息凹面光栅以及光栅固定盘、CCD光电探测器和盒体组成。入射光线由光纤导入并照射在入射狭缝上,光纤接口和入射狭缝都固定在可以上下滑动或左右滑动的滑块上,通过入射狭缝的光照射在固定在光栅圆盘处的平面谱全息凹面光栅上,不同波长的光经光栅衍射,照射在CCD探测器上。所述的垂直滑块和水平滑块上有光纤入口和入射狭缝,两块滑块可在水平和垂直方向上独立滑动;所述的光栅圆盘用于固定平面谱全息凹面光栅。本实新型优点是不采用马达传动装置,只采用一块光栅,提高设备的稳定性、便捷性,在光线入口和光栅位置设置可调性,使设备易于调试。
- 一种半导体中异价金属离子掺杂的方法-201410136749.9
- 张加涛;赵倩;钱红梅;桂晶 - 北京理工大学
- 2014-04-04 - 2014-06-25 - H01L21/06
- 本发明涉及一种半导体中异价金属离子掺杂的方法,属于半导体纳米材料的绿色制备及光电性能调控领域。所述方法包括:将油酸、油胺加入到异价金属M的硫属化合物MxXy纳米颗粒溶胶中,搅拌均匀,得到混合物a;将混合物a中再加入镉盐的甲醇溶液,搅拌均匀,得到混合物b;将混合物b加入膦配体,于30~80℃搅拌反应2h~4h,洗涤离心,得到沉淀物c,将所得沉淀物c分散到非极性有机溶剂中,得到异价掺杂的半导体。所述方法操作简单,低温下在溶剂中实现半导体光电纳米材料中异价金属离子的有效取代性掺杂,并实现了对半导体纳米材料的发光性质,p、n型导电类型的调控,应用领域广泛。
- 用于包封纳米晶体的方法及所得的复合物-200880132416.1
- R·S·杜布罗 - 纳米系统公司
- 2008-12-30 - 2011-11-23 - H01L21/06
- 本发明提供了气密密封发光纳米晶体的方法,还提供了包含气密密封的发光纳米晶体的复合物和容器。通过气密密封发光纳米晶体,可获得改善的使用寿命和发光性能。
- 用于太阳能电池和组件制造的沉积半导体层的技术和装置-200680047567.8
- B·巴索尔 - 索洛动力公司
- 2006-11-02 - 2008-12-24 - H01L21/06
- 本发明以不同实施方案有利地提供了形成具有宏观尺度及微观尺度组成均匀性的高品质、致密、良好附着的IBIIIAVIA族化合物薄膜的低成本沉积技术。还提供了将在这些化合物薄膜上制作的太阳能电池单片集成以形成组件的方法。在一个实施方案中,提供了在基底上生长IBIIIAVIA族半导体层的方法,并且包括步骤:在基底上沉积成核层和/或籽晶层以及在该成核层和/或籽晶层上电镀包含IB族材料和至少一种IIIA族材料的前体膜,以及使电镀的前体膜与VIA族材料反应。还描述了其它实施方案。
- 用于FIB电路修改的终点检测-200580016637.9
- 艾伦·格伦·斯特里特 - 高通股份有限公司
- 2005-03-11 - 2007-05-02 - H01L21/06
- 本发明揭示一种聚焦离子束(FIB)研磨终点检测系统,其使用一恒流电源来供能一所要修改的集成电路(IC)。在研磨过程中使所述FIB在一所要触及的导电迹线上方循环。在所述研磨过程中监测所述IC的输入功率或电压。在所述FIB到达所述导电迹线时便可检测到终点。当FIB到达所述导电迹线的水平面时,FIB可向所述导电迹线上注入电荷。一耦合至所述导电迹线的有源装置可放大由所述FIB注入的所述电荷。所述有源装置可用作一电流放大器。IC电流的变化可引起装置输入电压的放大的变化。通过监测来自所述恒流电源的输入电压的变化便可检测到所述终点。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造