[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010419289.6 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN112310218A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 林昌杰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底、一第一漏极应力源、一第一源极应力源、一埋入式栅极结构、一第二漏极应力源、一第二源极应力源以及一平面栅极结构。该基底具有一图案密集区以及一图案稀疏区。该第一漏极应力源设置在该图案密集区中。该第一源极应力源设置在该图案密集区中。该埋入式栅极结构设置在该图案密集区中，并位在该第一漏极应力源与该第一源极应力源之间。该第二漏极应力源设置在该图案稀疏区中。该第二源极应力源设置在该图案稀疏区中。该平面栅极结构设置在该图案稀疏区中，并位在该第二漏极应力源与该第二源极应力源之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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