[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质在审
| 申请号： | 202010177044.7 | 申请日： | 2020-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN111739779A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 原大介;八幡橘;竹田刚;大野健治;山崎一彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张敬强;李平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，可以均匀地处理基板。基板处理装置具有：反应管，其处理多个基板；基板支撑部，其将多个基板积载多层而支撑；缓冲室，其至少横跨从支撑于基板支撑部的下端的基板的高度位置到上端的基板的高度位置，且沿着反应管的内壁设置，通过等离子将处理气体活化；以及等离子产生用的电极，其贯通反应管侧面而从缓冲室的下部向上部插入，且通过从电源被施加高频电力，在缓冲室的内部使处理气体活化。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 以及 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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