[发明专利]一种扇出型芯片互联的制作方法在审
| 申请号： | 202010171369.4 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111508857A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 郁发新;冯光建;张兵;王志宇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 陈升华 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种扇出型芯片互联的制作方法，包括：在扇出型芯片的表面涂覆光刻胶或者钝化层，然后将覆盖在扇出型芯片的PAD区域上的光刻胶或者钝化层打开，露出扇出型芯片的PAD；在扇出型芯片的表面制作绝缘层，之后在绝缘层上方制作种子层，然后涂布电镀光刻胶，电镀金属做RDL，之后去除光刻胶，然后去除种子层；RDL的另一端与内部焊盘连接，内部焊盘上重新制作外部焊盘。本发明重新制作外部焊盘的尺寸增大，焊盘之间距离增大，本发明通过对芯片PAD进行重新定义面积和位置，能大大减小嵌入式扇出芯片PAD和晶圆级RDL互联的难度，减少断路和短路问题，增加了此类工艺的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扇出型 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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