[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 202010149007.5 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113363149B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;纪世良;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供初始化结构，使电感耦合等离子体装置分别输出第一功率、第二功率和第三功率，以在光刻胶图案的侧壁、光刻胶图案的顶部、光刻胶图案之间的待刻蚀层上形成保护层；然后去除光刻胶图案的顶部、以及光刻胶图案之间的掩膜材料层上的保护层，以在光刻胶图案的两侧形成侧墙；并以侧墙为掩膜去除侧墙之间的部分掩膜材料层；重复依次输出第一功率、第二功率和第三功率，形成目标结构。采用上述方案，不会出现因工艺窗口较小而造成的最终形成的目标结构偏离预设的位置或者小于预设的尺寸的情况；且输出三种功率多次刻蚀能够避免目标结构厚度不均匀的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
