[发明专利]半导体激光元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010078046.0 | 申请日： | 2020-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN111541147A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 川村亮太;川上俊之 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/042;H01S5/22 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 王娟 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实现激光发光的损失小的半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件的特征在于，具备：基板；第一导电型半导体层，其形成在基板上；发光层，其形成在第一导电型半导体层上；第二导电型半导体层，其形成在发光层上，并具有条纹状的凸部；透明导电层，其在第二导电型半导体层的凸部上形成；导电性的保护层，其形成在透明导电层上；介电膜，其对第二导电型半导体层的凸部的侧面、透明导电层的侧面以及保护层的侧面进行覆盖；以及上部电极，其形成在保护层上，透明导电层的上表面的整个面由保护层覆盖，保护层的上表面的一部分由介电膜覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010078046.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种图像识别模型训练方法及装置、存储介质
- 下一篇：背面弱化的乘客安全气囊门
