[发明专利]晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202010022665.8 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN113097302B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/265;H01L27/108 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体管及其制作方法，所述晶体管制作方法包括：提供衬底，所述衬底中已形成有源区、隔离结构、字线沟槽和栅氧化层，在所述字线沟槽内依次形成功函数层和字线金属层，测试栅极凹槽深度，在所述字线沟槽内填充绝缘层，最后根据栅极凹槽深度选择相应的离子植入的工艺参数，在字线沟槽两侧的衬底中植入设定导电类型的离子。本发明通过改变离子植入的工艺参数的方法，调节源极区、漏极区中离子植入的深度和植入区域的载流子浓度，从而降低晶体管的驱动电流受栅极凹槽深度的影响，避免字线加工工艺参数波动导致的驱动电流误差，形成了性能稳定性的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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