[发明专利]半导体器件的形成方法、双沟道刻蚀方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202010003005.5 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111146087A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 张大明;邵克坚;陈云;刘昭 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李洋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种半导体器件的形成方法、双沟道刻蚀方法及半导体器件，其中，导体器件的形成方法包括：提供待处理的半导体结构，所述待处理的半导体结构包括至少两个芯轴和位于每两个相邻芯轴之间的芯轴孔；沿所述芯轴孔的延伸方向沉积多晶硅材料，形成间隔层；以所述间隔层为掩膜，分别对所述芯轴和所述芯轴孔底部的待刻蚀层进行刻蚀，形成具有至少两个沟道孔的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 沟道 刻蚀 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
