[发明专利]逆导型IGBT器件及制备方法有效
| 申请号： | 202010002643.5 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN113066850B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 黄宝伟;肖秀光;吴海平;陈刚 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 姚章国 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种逆导型IGBT器件及制备方法，包括漂移层和设置在漂移层上表面的正面结构，漂移层下表面设置有缓冲层，缓冲层内设有多个空腔区；缓冲层表面设有导电层，空腔区与导电层之间设有间隙，导电层由而背面第一导电类型区和背面第二导电类型区间隔设置，背面第二导电类型区设置在空腔区下方，导电层表面设有集电极层。根据本申请实施例提供的技术方案，通过在缓冲层内设置空腔区，且将空腔区设置在背面第二导电类型区的上方，形成电流散射中心，使背面第二导电类型区的空穴在IGBT开通时能以更快的速度注入IGBT的漂移层，能够明显消除电压折回现象。 | ||
| 搜索关键词： | 逆导型 igbt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪半导体股份有限公司，未经比亚迪半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010002643.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
