[发明专利]具有升压读取方案的阈值电压设置在审
| 申请号： | 201980079291.9 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN113661541A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 榊原清彦;矢部纮贵;大和田健;东谷政昭 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了用于使用具有多晶硅沟道和p型掺杂源极线的NAND串来减少读取干扰的方法。在NAND串中的选定存储器单元晶体管的升压读取操作期间，可将背栅偏置或位线电压施加到连接到NAND串的位线，并且可将大于该位线电压的源极线电压施加到连接到NAND串的源极线；利用这些偏置条件，可在读取操作期间从位线注入电子并且在源极线中将其根除。为了避免通过未选存储器块中的NAND串的泄漏电流，NAND串的源极侧选择栅极晶体管的阈值电压可被设置为负阈值电压，该负阈值电压的绝对电压值大于在读取操作期间施加的源极线电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 升压 读取 方案 阈值 电压 设置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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