[发明专利]包含字线和通道栅极的铁电存储器器件及其形成方法在审
申请号: | 201980078936.7 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN113179666A | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 张艳丽;J·阿尔斯迈耶;R·S·马卡拉 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/1159 | 分类号: | H01L27/1159;H01L27/11502;H01L21/28;H01L29/78;G11C11/22 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了一种存储器器件,该存储器器件包括在源极区和漏极区之间延伸的半导体沟道、多个通道栅极电极、多个字线、位于该半导体沟道与该多个通道栅极电极之间的栅极电介质以及位于该半导体沟道与该多个字线之间的铁电材料部分。 | ||
搜索关键词: | 包含 通道 栅极 存储器 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桑迪士克科技有限责任公司,未经桑迪士克科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980078936.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种多层薄膜制备方法及多层薄膜-202080098589.7
- 秦健鹰;杨喜超;邢彦敏;张岩;魏侠 - 华为技术有限公司
- 2020-03-17 - 2022-11-04 - H01L27/1159
- 本申请公开了一种多层薄膜制备方法及多层薄膜,其中方法主要包括:制备第一材料层,进而在第一材料层的表面层叠设置多个第二材料层。本申请实施例中,每个第二材料层包括第二衬底,第二衬底由铁电单晶材料构成。采用上述方法,可以在多层薄膜中制备多个由铁电单晶材料构成的薄膜层,有利于扩大铁电单晶材料在多层薄膜中的应用。
- 包括背侧栅极电极的三维铁电存储器器件及其制造方法-201980078942.2
- 佐藤大治 - 桑迪士克科技有限责任公司
- 2019-11-21 - 2021-07-30 - H01L27/1159
- 本发明公开了一种铁电存储器器件,所述铁电存储器器件包括:绝缘体层和导电层的交替堆叠,所述交替堆叠定位在衬底的顶表面上方;存储器堆叠结构,所述存储器堆叠结构竖直延伸通过所述交替堆叠并且包括铁电材料层、接触所述铁电材料层的前侧栅极电介质,以及接触所述前侧栅极电介质的竖直半导体沟道;背侧栅极电介质,所述背侧栅极电介质接触所述竖直半导体沟道;以及背侧栅极电极,所述背侧栅极电极接触所述背侧栅极电介质。所述铁电材料层的与所述导电材料层相邻的部分可用极化状态来编程以存储数据。
- 包含字线和通道栅极的铁电存储器器件及其形成方法-201980078936.7
- 张艳丽;J·阿尔斯迈耶;R·S·马卡拉 - 桑迪士克科技有限责任公司
- 2019-12-30 - 2021-07-27 - H01L27/1159
- 本公开提供了一种存储器器件,该存储器器件包括在源极区和漏极区之间延伸的半导体沟道、多个通道栅极电极、多个字线、位于该半导体沟道与该多个通道栅极电极之间的栅极电介质以及位于该半导体沟道与该多个字线之间的铁电材料部分。
- 包括铁电晶体管和非铁电晶体管的集成式组合件-201980047832.X
- W·I·金尼 - 美光科技公司
- 2019-07-22 - 2021-02-26 - H01L27/1159
- 一些实施例包含一种集成式组合件,其具有从第一线路延伸到第二线路的半导体结构。铁电晶体管包含邻近所述半导体结构的第一区的第一晶体管栅极。第一非铁电晶体管包含邻近所述半导体结构的第二区的第二晶体管栅极。所述半导体结构的所述第二区在所述半导体结构的所述第一区和所述第一线路之间。第二非铁电晶体管包含邻近所述半导体结构的第三区的第三晶体管栅极。所述半导体结构的所述第三区在所述半导体结构的所述第一区和所述第二线路之间。
- 半导体存储装置、积和计算装置以及电子设备-201980021556.X
- 塚本雅则 - 索尼半导体解决方案公司
- 2019-02-27 - 2020-11-06 - H01L27/1159
- [问题]为了提供使得可以进一步增加存储器单元的集成度和密度的半导体存储装置、积和计算装置以及电子设备。[解决方案]一种半导体存储装置,设置有:第一晶体管,其中第一栅极电极设置在设置有源极或漏极区域的活性化区域上,铁电膜插入在第一栅极电极与活性化区域之间;以及第二晶体管,其中源极或漏极区域设置在第一栅极电极上设置的活性化层上,并且第二栅极电极设置在活性化层上,绝缘膜插入在活性化层和第二栅极电极之间。
- 半导体存储装置和乘法累加器-201980021557.4
- 奥野润;菅谷文孝;塚本雅则 - 索尼半导体解决方案公司
- 2019-03-12 - 2020-11-06 - H01L27/1159
- [问题]为了提供能够将充足的电压施加到铁电电容器并且适合于高集成度的半导体存储装置和乘法累加器。[解决方案]该半导体存储装置设置有:晶体管;和铁电电容器,所述铁电电容器通过将铁电构件夹在一对导电构件之间而形成,这一对导电材料中的一个电连接到晶体管的栅极电极,其中晶体管的沟道涉及到多个表面三维地形成。
- 半导体存储器装置、电子设备和读取信息的方法-201880076893.4
- 塚本雅则 - 索尼半导体解决方案公司
- 2018-10-10 - 2020-07-14 - H01L27/1159
- [问题]提供一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置在形成存储器单元阵列时适当地操作,同时避免由在半导体基板的表面上形成的氧化物膜引起的电压降。[解决方案]该半导体存储器装置设置有:第一晶体管;电容器,包括在其间有绝缘体的对置的一对电容器电极,电容器电极中的一个电容器电极电连接到第一晶体管的栅极电极;第二晶体管,所述第二晶体管的源极或漏极中的一个电连接到第一晶体管的源极或漏极中的一个并且电连接到电容器电极中的另一个电容器电极;以及板线,电连接到第一晶体管的栅极电极并且电连接到电容器电极中的所述一个电容器电极。
- 半导体存储元件、其他元件及其制造方法-201780041826.4
- 高桥光惠;酒井滋树;楠原昌树;都田昌之;梅田优;佐佐木善和 - 国立研究开发法人产业技术综合研究所;株式会社华哥姆研究所
- 2017-07-03 - 2019-04-16 - H01L27/1159
- 提供一种使用宽度为100nm以下且高度为宽度的2倍以上的高纵横比的形状的存储体的半导体存储元件和其制造方法。一种半导体存储元件,具有在半导体基板(1)之上堆叠存储体(2)和导体(3)的层叠构造,存储体(2)的底面(12)与半导体基板(1)接触,存储体(2)的上表面(10)与导体(3)接触,存储体(2)的侧面(11)与隔壁(4)接触而被包围,存储体(2)的底面(12)的宽度是100nm以下,导体(3)与半导体基板(1)之间的最短的距离是存储体(2)的底面(12)的宽度的2倍以上,存储体(2)的侧面(11)的宽度在比底面(12)靠上的任何位置都与底面(12)的宽度相同而一定、或在底面(12)以外的比底面(12)靠上的位置最宽。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的