[发明专利]制作宽带隙半导体器件时高能量植入期间掩蔽的系统和方法在审
申请号: | 201980077888.X | 申请日: | 2019-09-23 |
公开(公告)号: | CN113412536A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 威廉·格雷格·霍金斯;列扎·甘迪;克里斯托弗·鲍尔;鲁少昕 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/02;H01L21/225;H01L29/78;H01L29/73;H01L29/66 |
代理公司: | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人: | 脱颖 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文所公开的主题涉及宽带隙半导体功率器件,并且更具体地涉及用于形成如电荷平衡(CB)碳化硅(SiC)功率器件等SiC功率器件的高能量植入掩模。一种中间半导体器件结构(126)包括:具有第一导电类型的碳化硅(SiC)衬底层(36);以及具有所述第一导电类型的SiC外延(epi)层(34),所述SiC epi层布置在所述SiC衬底层(36)上。所述中间半导体器件结构(126)还包括硅高能量植入掩模(SiHEIM)(40),所述SiHEIM直接布置在所述SiC epi层(34)的第一部分上并且具有介于5微米(μm)与20μm之间的厚度。所述SiHEIM(40)被配置成在植入能量大于500千电子伏(keV)的高能量植入过程期间阻断对所述SiC epi层(34)的所述第一部分的植入。 | ||
搜索关键词: | 制作 宽带 半导体器件 高能量 植入 期间 掩蔽 系统 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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