[发明专利]膜层的形成方法及半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201911134446.2 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112899615B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 王婷 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/22;H01L21/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种膜层的形成方法及半导体器件的制备方法，膜层的形成方法包括：将待处理晶圆置于物理气相沉积腔室中进行化合物膜的物理气相沉积，其中，提供第二元素气体与气态的第一元素单质反应生成化合物膜；其中，对物理气相沉积腔室进行预防维护之后，在进行后续化合物膜的物理气相沉积之前，于物理气相沉积腔室内补充第二元素。上述膜层的形成方法，使得物理气相沉积腔室在维护后依旧具有充足的第二元素去形成化合物膜，使得化合物膜内具有充足的第二元素，而且使得第二阻挡层能更有效的避免第一导线层的材质扩散到第二介质层中，提高金属可靠性，还能更有效避免在填充连通材料阶段时对第二阻挡层造成损伤形成缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 半导体器件 制备 | ||
【主权项】：
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